为了进一步分析，案例作者通过DFT计算了磁场存在前后CoS2的电子结构。
（Ⅱ）改进现有策略当通过边缘位点、分析相、掺杂、空位、和界面的工程对2DTMDs进行改性时，光催化性能实现了大幅提升。此外，电流~2.16eV是单层MoS2的电子带隙的实验值。
创建空位（命名为空位工程，传感图14a）也是一种普遍的策略，以释放2DTMD在光催化性能改善方面的巨大潜力。例如，技术金属1T相MoS2（具有高的电导率 10-100S∙cm-1）的导电性几乎是其半导电2H相的107倍，技术并且接近石墨烯（~100 S∙cm-1），这赋予了它在光催化中的理想助催化剂作用。1T-MoS2只有很小的带隙，应用于智是一种准金属相，具有与金属1T相类似的性质。
就2DTMDs而言，案例金属硫化物（如CdS、ZnIn2S4、和TMD本身）将与它们在化学上最为相容，以制备功能性混合光催化剂。该方法比CVD生长更简单、分析更容易操作，但产品质量和结晶度不如CVD生长获得的产品。
或者，电流通过球磨方法在2DTMDs表面引入孔隙也是丰富边界和边缘位置的有力工具（图12b）。
值得注意的是，传感载流子迁移过程总是伴随着载流子复合，包括本体复合和表面复合，这不利于光催化，应尽可能避免。「中国十大品牌」是由全行业综合资源型平台《中国品牌网》主办的，技术《中国建材家居网》、技术《中国家居资讯网》等十多家业内权威网络媒体协办的全国性品牌评比赛事
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